FIB（Focused Ion Beam）操作流程主要包括以下步驟：
準備樣品。將待分析的樣品放置在FIB切片儀的樣品台上，並確保樣品的表面光潔平整，以便離子束能夠準確定位和加工。
切割樣品。通過控制離子束的掃描軌跡和刻蝕參數，用離子束切割樣品。離子束從樣品表面開始切割，逐漸穿透樣品，形成一個非常薄的切片，切片的厚度通常在幾納米到幾十納米之間，取決於所需的分析深度。
捕獲切片。切割得到的切片被捕獲並轉移到一個載片或格線上，以便後續的觀察和分析。這個過程通常需要使用顯微鑷子或類似的工具，以確保切片的安全轉移。
精細加工。有時，切割得到的切片需要進行進一步的精細加工，以消除切割過程中產生的偽影或其他不完美的區域。這可以通過使用較低能量的離子束或其他納米加工技術來實現。
觀察和分析。將切片放入透射電子顯微鏡(TEM)或掃描電子顯微鏡(SEM)等設備中進行觀察和分析。這些設備可以提供高解析度的材料結構和成分信息。
此外，FIB系統還可以進行原位晶片修改、截面分析、探針墊引出等操作。整個過程中，FIB的離子束扮演著關鍵角色，它不僅可以切割和加工樣品，還可以通過收集二次電子和離子信號來獲取樣品的顯微圖像。