化學氣相沉積法（CVD）的原理是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應，生成固態沉積物的過程。
在CVD過程中，通常將兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，這些氣態原材料之間發生化學反應，形成一種新的材料，並沉積到基體表面上。首先需要將反應物加熱到一定溫度，以達到足夠高的蒸汽壓，然後使用氬氣或氫氣等作為載氣將氣體送入反應器。在反應器中，生成的產物會沉積到被塗物的表面，而廢氣則通常被導向鹼性吸收或冷阱。
CVD方法在材料研製過程中得到了廣泛的套用，因為製備的薄膜能與基體緊密附著，且幾乎對基體的幾何形狀沒有依賴關係。通過改變氣體成分或澱積條件（如溫度、氣壓等），可以改變成膜的化學或物理性質，並且對厚度的控制也較為容易。
CVD技術有許多變種，包括但不限於低壓CVD(LPCVD)、光誘導CVD(PICVD)、等離子增強CVD(PECVD)、金屬有機化合物氣相澱積方法(MOCVD)等，這些方法通過調整沉積環境或使用不同的前體，使得在特定套用中能夠更有效地製備所需材料。