寬禁帶半導體材料
第三代半導體是一種寬禁帶半導體材料，主要包括氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等。
第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特性，可承受大功率，能夠在高溫和高壓環境下穩定工作，且具有較強的抗輻射能力。這些優越性能使得第三代半導體成爲支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業發展的重要材料和電子元器件。相比於傳統的硅基器件，第三代半導體功率電子器件具有更高的效率、更小的體積和更高的智能化水平。例如，碳化硅基功率電子器件及模塊耐高壓、大電流、低損耗，適用於智能電網、高速軌道交通、新能源汽車等領域；而氮化鎵基功率電子器件及模塊則適用於新一代通用電源、移動通訊基站、物聯網終端設備的電源，以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領域。