空間電荷區，也稱為耗盡層，是PN結中間部位產生的一個電荷區，這個區域的特點是載流子（如電子和空穴）的濃度超過了原載流子濃度。
在PN結中，由於自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動，P區和N區的交界面處會產生一個很薄的電荷區，這個表面電荷層是由於載流子被電場排斥到體內而顯露出未被補償的離化雜質電荷所構成的，由於離化雜質電荷是固定不動的，所以所形成的表面電荷層為空間電荷區。空間電荷區的寬度受半導體的雜質濃度和外加電壓的控制，摻雜濃度愈高，對應的空間電荷區寬度就愈窄。外加電壓方向增強空間電荷區電場時，空間電荷區展寬，反之外加電壓削弱空間電荷區電場時，空間電荷區變窄。